IRFR18N15D,,近期价格分析及相关描述
所属类别：场效应管厂家：IR封装：TO-252基本参数:
FET型：MOSFETN通道
FET特点：标准型
开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C:125毫欧@11A,10V
漏极至源极电压(Vdss):150V
Id时的Vgs(th)（最大）:5.5V@250μA
闸电荷(Qg)@Vgs:43nC@10V
电流-连续漏极(Id)@25°C:18A
在Vds时的输入电容(Ciss):900pF@25V
功率-最大:110W
最大漏极源极电压:150V
最大漏极源极电阻:0.125Ω
最大门源电压:±30V
典型断开时延:15ns
