IRF7822PBF中文资料,参数,PDF及价格分析
品牌：IR封装：SOP-8
基本参数：类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
系列：HEXFET?
FET型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：6.5毫欧@15A,4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)@25°C：18A
Id时的Vgs(th)（最大）：1V@250μA
闸电荷(Qg)@Vgs：60nC@5V
在Vds时的输入电容(Ciss)：5500pF@16V
功率-最大：3.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm宽）
包装：管件
供应商设备封装：8-SO
