新型材料的电力电子器件：碳化硅功率器件
碳化硅的机遇与挑战：
- 是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料
- 将对半导体材料产生革命性的影响
- 将成为功率器件研究领域的主要潮流之一
- 技术需要时间磨合
- 将在今后5～10年内出现SIC的新器件
碳化硅是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，在电力电子方面也是很重要的，可制作出性能更加优异的高温(300℃～500℃)、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。SIC高功率、高压器件对于公电输运和电动汽车等设备的节能具有重要意义。采用SIC的新器件将在今后5～10年内出现，并将对半导体材料产生革命性的影响。
SIC可以用来制造射频和微波功率器件、高频整流器、MESFET、MOSFET和JFET等。SIC高频功率器件已在Motorola公司研发成功，并应用于微波和射频装置；美国通用电气公司正在开发SIC功率器件和高温器件；西屋公司已经制造出了在26GHz频率下工作的甚高频MESFET；ABB公司正在研制用于工业和电力系统的高压、大功率SIC整流器和其他SIC低频功率器件。
理论分析表明，SIC功率器件非常接近理想的功率器件。我们可以预见，各种SIC器件的研发必将成为功率器件研究领域的主要潮流之一。但是我们也要清醒的看到，SIC材料和功率器件的机理、理论和制造工艺均有大量的问题需要去解决，它要真正给电力电子技术领域带来新的革命，估计还需要时间的等待。 关键字：碳化硅 电力电子 功率 SIC 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80008956
