首个高温自旋场效应晶体管诞生
新闻事件：
- 美物理学家研制出首个高温自旋场效应晶体管
- 将给半导体纳米电子学和信息技术领域带来新气象
据美国物理学家组织网报道，美国得克萨斯A&M大学物理学家杰罗·斯纳夫领导的一个国际科研小组在出版的《科学》杂志上宣布，他们研制出了首个能在高温下工作的自旋场效应晶体管（FET），该设备由电力控制，其功能基于电子的自旋，其中包含一个与门逻辑设备。新突破将给半导体纳米电子学和信息技术领域带来新气象。
英国日立剑桥实验室、剑桥大学、诺丁汉大学、捷克科学院和查尔斯大学的研究人员首次将自旋—螺旋状态和异常霍尔效应结合在一起，制造出了这种自旋FET，其中包括一个与门逻辑设备，自旋FET的概念于1989年首次提出，这是科学家首次在其中实现与门逻辑设备。 关键字：场效应管 FET 纳米电子学 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80009176
