飞兆半导体与英飞凌签署MOSFET封装工艺H-PSOF许可协议
新闻事件：
- 飞兆半导体与英飞凌科技签署创新的汽车级MOSFET H-PSOF封装工艺许可协议
事件影响：
- 协议确保设计人员可获得可靠的创新封装技术供应渠道
- 这种封装相对于现有的D2PAK，PCB板面积和高度分别降低20%和50%
- TO-Leadless MOSFET封装解决方案将应用于汽车行业
英飞凌科技股份公司与飞兆半导体公司近日宣布签署英飞凌先进汽车级MOSFET封装工艺H-PSOF（带散热盘的塑料小外形扁平引脚封装）——符合JEDEC标准的TO-Leadless封装（MO-299）——的许可协议。
这种封装适用于大电流汽车应用，包括混合动力汽车的电池管理、电动助力转向系统（EPS）、主动式发电机和其他重载电气系统。TO-Leadless封装是首个实现300安培电流能力的封装。这种封装相对于现有的D2PAK，PCB板面积和高度分别降低20%和50%，从而大幅节省空间。
开发全新的启停系统、电动助力转向系统、电池管理和主动式发电机，以满足更苛刻的能效和排放要求的汽车电子公司，正在寻求各种创新解决方案，但他们还必须最大程度规避仅从一家供应商采购器件的风险。为确保可靠的器件供应，飞兆半导体与英飞凌签署该许可协议，旨在将领先业界的TO-Leadless MOSFET封装解决方案应用于汽车行业，同时最大程度降低从一家供应商采购器件的风险。
飞兆半导体公司计划将TO-Leadless功率器件封装工艺应用于其最新的MOSFET技术。采用TO-Leadless封装的首批MOSFET样品，预计将于2012年下半年开始提供，批量生产有望于2013年中期开始。
飞兆半导体汽车业务部副总裁Marion Limmer指出：“凭借多年来在汽车行业积累的丰富经验，飞兆半导体在满足当前各大汽车厂商的功率半导体需求方面，遥遥领先。通过采用这种TO-Leadless功率器件封装工艺，飞兆半导体帮助设计人员充分利用最新的低阻MOSFET技术，从而进一步提高我们在汽车市场的份额。”
英飞凌科技股份公司汽车电子业务部总裁Jochen Hanebeck表示：“拥有这个协议，汽车行业将受益于从其他可靠供应商订购空间、能效及性能方面具备优势的大电流功率器件。作为汽车功率应用技术的领导者，英飞凌利用其技术专长为汽车系统供应商提供可提高能效和性能的MOSFET，同时还可最大程度降低从一家供应商采购的风险。”
飞兆半导体与世界领先的汽车制造商和系统供应商合作，开发出广泛支持汽车应用的半导体解决方案，包括优化现代汽车的电源管理架构、降低燃耗和环境污染等等。
