飞兆半导体与英飞凌科技达成H-PSOF许可协议

新闻事件：

• 飞兆半导体和英飞凌科技公司宣布就H-PSOF MOSFET封装技术达成许可协议

事件影响：

• 封装高度降低了50%
• 占用空间减小了20%以上
• 这项协议为设计人员提供了可靠的创新型封装来源

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飞凌的H-PSOF (带散热片的小外形扁平引脚塑料封装) 先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。H-PSOF是符合JEDEC标准的TO无铅(TO-LL) 封装 (MO-299)。

这款封装专为包括混合动力车辆电池管理、电动助力转向(EPS)、主动式交流发电机(active alternator)和其他大负载电气系统在内的大电流汽车应用而设计。TO无铅封装是首个具有300A电流处理能力的封装。这种封装在线路板占用空间方面比现今的D2PAK封装具有更显著优势，占用空间减小了20%以上，封装高度降低了50%。

为了满足更高效率和更低排放强制要求，开发新型启-停系统、电动助力转向、电池管理和主动式交流发电机的汽车电子企业不断寻求创新型解决方案，同时必须尽可能减小产品由单一供应商供货的风险。为了确保可靠的产品供应，飞兆半导体和英飞凌达成此项协议，目的是将先进的TO无铅MOSFET方案带入汽车市场，同时最大限度地减小单一供应商来源的相关风险。

飞兆半导体将TO无铅功率封装技术用于其最新的MOSFET技术，预计于2012年下半年提供首个采用TO无铅封装的MOSFET器件，并于2013年年中提供在产器件。

飞兆半导体汽车业务部副总裁Marion Limmer表示：“飞兆半导体在服务汽车工业方面拥有悠久历史，在满足当今汽车制造商对功率半导体的需求方面处于领先地位。飞兆半导体通过引入这种TO无铅功率封装技术，正在帮助设计人员利用最新的低电阻MOSFET技术，进一步扩大我们在汽车市场的影响力。”

英飞凌科技汽车分部总裁Jochen Hanebeck表示：“有了这项协议，汽车行业便可受益于可靠的第二来源供应商，获取在占用空间、效率和性能方面具有诸多优点的大电流功率器件。作为汽车功率应用的领先厂商，英飞凌利用专门的技术知识，为汽车系统供应商提供能够实现更高效率和更高性能的MOSFET器件，同时将单一供应商来源的相关风险降低至最小。”

飞兆半导体与世界领先的汽车制造商和系统供应商进行合作，创建支持各种汽车应用半导体解决方案，包括优化现今车辆架构中的功率管理、降低油耗以及减少环境污染物质。