晶体管也玩立体化,Intel,Ivy,Bridge前景乐观
新闻事件：
- 晶体管也玩立体化 Intel Ivy Bridge前景乐观
- Intel推出了IvyBridge处理器
- 22nm的3D晶体管首次亮相
今年年初，Intel正式发布了SandyBridge架构，从笔记本、台式机到服务器都一应俱全，几个月内SnB大潮就已经席卷了整个市场。如今在桌面平台方面，已经更新到第二代Z68等芯片组了，推陈出新速度非常之快。
然而今年的处理器市场竞争非常激烈，三季度AMD的推土机平台就要上市，之前的Llano架构APU就很受关注，其整合的显示核心性能超越了Intel同类产品，功耗方面也得到了很好的控制。因此推土机平台更加值得期待。
不过作为业界老大的Intel自然也有自己的对策，接连抛出了SandyBridge-E和IvyBridge，用以对抗AMD推土机。
SandyBridge-E可以看做是SnB的增强版本，拥有更大容量的三级缓存，支持四通道DDR3内存和更高频率和双路全速PCI-E2.0x16显卡并联，超频不错，存储方面也非常灵活性，支持多达十四个SATA接口，其中十个支持SATA6Gbps、八个支持SAS。
而IvyBridge则是Intel的下一代平台，它将3D晶体管引入了CPU之中，也是首款采用3D晶体管的产品。接下来就让我们来具体了解一下IvyBridge吧。
IvyBridge平台性能强大
IvyBridge处理器采用22nm新工艺制造，在内核架构上与32nmSandyBridge没有太大变化，只是一些细节上的增强和完善，比如支持PCI-E3.0标准规范，内存支持1.5VDDR3-1600。
IvyBridge处理器仍将由处理核心、三级缓存、图形核心、内存控制器、系统助手、显示控制器、显示接口、PCI-EI/O控制器、DMI总线控制器等众多模块整合而成。
IvyBridge处理器拥有8MB三级缓存、超线程技术、TurboBoost2.0动态加速技术、LLCCPU/GPU缓存共享、改进的AVX/AES-NI指令集、电源感应中断路由节能与性能提升技术、DDR电源栅极内存待机节能技术、PCI-E3.0标准规范、第七代图形核心(6/16个执行单元并支持EU电源栅极待机节能)、三屏独立输出、eDP(嵌入式DisplayPort)输出接口、PECI3.0标准规范。
IvyBridge整合的图形核心是Intel的第七代产品，EU执行单元数量最多增至16个，3D方面支持DirectX11、OpenGL3.1、OpenCL1.1。
多媒体方面Intel表示，IvyBridge的QuickSync技术可组建的端到端(EndtoEnd)的高画质会议方案。也就是说可以实现高画质的实时编码，这一点Intel在IDF上就曾经做过演示，非常值得期待。
22nm的3D晶体管首次亮相
从规格方面来看，IvyBridge与当前的SandyBridge区别不是很大，基本就是新技术的加入与增强，而22nm的3D晶体管则是首次应用到处理器当中。
IvyBridge是首款使用3DTri-Gate晶体管的量产芯片。3D晶体管和2D平面晶体管有本质性的区别，它不只可以用在电脑、手机和消费电子产品上，还可以用在汽车、宇宙飞船、家用电器、医疗设备和其它多种产品中。
3DTri-Gate晶体管是什么原理呢?简单的说就是立体化。传统晶体管是2D布局，类似于平房住户，居住的人数非常有限，而工艺的进步则是在有限的空间内压缩面积而已，这样的形式已经出现了瓶颈。3D晶体管就相当于楼房，居住面积立体化，大大节省了空间，是当前晶体管数量激增后一个更好的解决方案。
3-DTri-Gate使用一个非常薄的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极，其中两侧各一个、顶面一个，用于辅助电流控制，而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的，晶体管可以更加紧密地靠在一起，从而大大提高晶体管密度。
通过使用3D晶体管，芯片可以在低电压和低泄露下运行，从而使性能和能耗取得大幅改进。在低电压条件下，22纳米的3-DTri-Gate晶体管比英特尔32纳米平面晶体管性能提高37%。这意味着它能用在许多小的手持设备中。另外，在相同的性能条件下，新的晶体管耗电不及2D平板晶体管、32纳米芯片的一半。
据Intel方面透露，22纳米的芯片性能比现在的32纳米芯片更高。为了扩大制程技术的优势，赶上移动竞赛，上个月英特尔将2011年资本开支提高到102亿美元，原定数额为90亿美元，目的是落实12纳米制程的开发。
目前，Intel的IvyBridge还未进行大规模量产，但Intel也表示IvyBridge可能会提前发布，目的在于对抗即将上市的推土机。从产品技术方面来看，IvyBridge并没有过多出彩的地方，仅仅是SandyBridge的升级版本;而从工艺角度讲，IvyBridge所基于22nm的3-DTri-Gate晶体管则是首次应用到实际产品中，也是晶体管发展的一场革命。不过从当前的一些资料来看，IvyBridge工程样板的测试中功耗表现并不突出，看来还需要进一步优化。
而至截稿之前的最新消息显示，Intel将于2012年3月份到4月份期间正式推出下一代SocketLGA1155插槽22纳米IvyBridge处理器，并且在最新的Roadmap中已有显示。推土机性能到底如何，IvyBridge能否提前到来，让我们拭目以待吧! 关键字：Intel 晶体管 笔记本 台式机 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80012452
