Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET荣获“中国优秀电子产品”奖

新闻事件：

• Vishay功率MOSFET荣获《电子技术应用》杂志“中国优秀电子产品”奖

事件影响：

• 功率MOSFET具有业内最低的导通电阻
• 低FOM减少开关应用中的损耗
• 器件的高效率使设计者提高系统的功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET? 荣获专业媒体《电子技术应用》(AET)的“中国优秀电子产品”奖。

在采用SO-8或PowerPAK? SO-8封装的60V器件中，SiR662DP 60V N沟道功率MOSFET具有业内最低的导通电阻，以及60V器件中最低的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)。对于设计者，更低的MOSFET导通电阻使得传导损耗更低，可减少功耗，尤其是在重负载条件下。低FOM减少了高频和开关应用中的开关损耗，特别是在轻负载和待机模式下。器件的高效率使设计者能够提高系统的功率密度，或同时在更绿色的设计方案中实现更低的能源损耗。

在两个月的时间内，用户通过在www.ChinaAET.com投票的方式选出了中国优秀电子产品奖的获奖者。118款提名产品中有31款获奖，SiR662DP荣获分立元器件类的奖项。