电子厂商竞逐西部市场
电子展新闻事件：
- 电子展第二年登录成都
- 国内外企业前来参展
- 多场技术论坛与展会同期举办
电子展事件影响：
- 为西部提供电子电路的解决方案
日前，2010年中国(成都)电子展(CEF West)在成都世纪城新国际会展中心开幕，这是中国电子展系列展览连续第二年登陆四川成都。400余家来自国内外的电子元器件、电子材料、制造设备、测试/测量设备等领域的企业前来参展；此外，多场技术论坛与展会同期举办，其中节能、环保、安全成为热议的话题。
节能议题备受关注
在第四届新型节能设计技术研讨会上，来自麦肯集成电路设计(深圳)有限公司的陈文中副理介绍了MCU产品在节能减排领域的应用。他表示，包括美国、欧盟、澳大利亚、韩国等在内的国家和地区都针对电子电器产品制定了待机能耗标准，通过高性能的集成电路设计，可以利用软件程序对具有待机功能的日用电器的工作状态进行监测，并自动控制输出电源的通断。“设备的有功功率是实现其功能所必需的。”东重集团机械电子研究所所长朱少书教授补充道，“我们从事节能设计，应重点着眼于减少其无功功率。”
据陈文中介绍，用MCU控制电路电源的运行状态就体现了朱教授所阐述的理念。当电器正常使用的时候，MCU就将该装置的电源输出设置为开通状态，此时，该产品等同于带有过载保护功能的电源；当电器处于待机状态时，MCU会将该其电源输出设置为关断状态，此时该产品的无用能耗则为零。“在LCD TV、空调、微波炉、电磁炉等电器产品中使用待机电源管理器，不仅可以延长这些产品的使用寿命，而且可以增强其安全性。”陈文中说。
半导体照明也是目前最受追捧的节能技术之一，不过，LED的寿命问题一直制约着其应用的推广。“尽管LED的寿命能达到4万～5万小时，但传统的LED驱动器必须使用电解电容，而小型电解电容器的寿命只有几千小时，而且还会随着热量的升高而减少。”创意电子有限公司技术部经理龙金节表示，“如果用创意电子拥有专利的IC来替代电解电容，其寿命可以达到4万小时以上，跟LED的寿命正好匹配。此外，在使用IC之后，LED驱动器所占的面积只有以前的40%，可以使LED系统更加简单化、小型化。”
新能源应用被热捧
电子器件在新能源领域的应用也是与会人士谈论的焦点。应用在风力发电、太阳能发电领域的功率器件电流大、损耗大、发热高，若不采取合适的散热措施，则管芯的温度可达到或超过允许的结温，限制了功率密度的提升，严重时器件将受到损坏。来自AVC公司的高百龄博士介绍了该公司基于空冷、相变化技术和水冷板的解决方案，利用这些方案，可以通过精确计算来确定相应的散热措施并选择合适的散热器，从而优化大功率器件散热的处理能力，保证器件可靠性。
在新能源领域，系统对一些平常看似并不起眼的普通元器件也提出了很高的要求。威世(中国)投资有限公司电阻电感部门区域市场经理吕爱强告诉记者，电阻是所有元器件中最普通最常用的器件，但它是实现电路可靠性和稳定性的基础；在太阳能、风能以及电动汽车应用中，由于工作环境恶劣且维护困难，因此对设备的可靠性和稳定性要求非常高，这就要求所使用的电阻也要具备很好的性能。
在电动汽车和混合动力汽车中，电阻还将帮助系统对电池的电流进行实时监测。据吕爱强介绍，使用极低阻值的电阻进行监测的方案能使系统精确度高、稳定性好、成本低，如今已越来越多地被电动汽车制造商所采用，这一方案中的关键器件就是电阻。
电路保护不容忽视
电路保护是电路设计的基础学科，也是最容易出现问题的部分，同时也是往往被忽略的问题。只要涉及接口电路设计的地方，都需要考虑电路保护问题。ESD防护、防雷设计、过流保护等难题几乎困扰着每一位电路设计工程师，实际上，在通信、消费、军工、航空航天等领域，ESD往往是引起电路失效的罪魁祸首。
认识到ESD、过压、浪涌、过热等现象的巨大危害性，保护器件厂商也在不断推出各种新产品满足设计需求。除了关注伏安特性、保护级别等因素，最新的电路保护器件还需要考虑更多的问题。例如，电子设备越来越轻薄，为了符合尺寸的限制并在更小的空间中提供电路保护，保护器件制造商需要开发出尺寸更小的元器件，这就需要厂商不断提高元器件的能量密度；同时，接口速率不断提升，为保证信号完整性就必须考虑保护器件电容的大小，保护方案必须紧随接口发展的趋势，以保障接口的可靠性；此外，保护元器件的耐冲击次数和抗震、防潮等特性也需要考虑。
在本届电子展上，专注于电路保护器件的君耀电子向业界展示了高品质的ESD静电保护器、Hyperfix高耐量TVS以及B6A****??式低电容TVS。该公司认为，伴随着智能终端的小型化，电路保护将成为基本要求，该公司将顺应客户这一需求而变化，重点推进小型化终端电路保护。
新材料新器件登场亮相
一些国际领先企业也将基于新材料的创新型电子器件带到了本届展会上，来自日本的罗姆(ROHM)半导体就展示了该公司基于SiC材料的3英寸肖特基二极管(SBD)和DMOS器件。
ROHM半导体(深圳)有限公司总经理李天龙在接受记者采访时表示，ROHM最近开始了肖特基二极管(SBD)SCS110A系列的量产，本系列产品采用了因具有低功耗、高耐压等优点而有望成为下一代功率组件材料的碳化硅(SiC)。“与其他公司已经量产的SiC-SBD相比，在正向电压和动作时阻抗等特性上有很大的改善，可广泛应用于太阳能发电、电动汽车/混合动力车等需进行功率转换的逆变器、转换器、PFC电路等领域和其他可能的领域。”李天龙说。
记者了解到，碳化硅被视为下一代功率半导体器件的重要原材料。与传统的硅材料相比，以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料拥有较高的临界击穿电场，用于制造功率器件可以明显地减少所需要的漂移区厚度，同时提高漂移区的掺杂浓度，达到大大减少器件电阻的效果。李天龙表示，ROHM高性能、低功耗的创新型器件迎合了当前低碳经济的发展趋势，特别是具有高耐压、高可靠性、优良阻抗特性的新器件将为中国西部传统工业带来应用创新和产品升级的机会。
