Si8461DB/5DB系列:Vishay推出业界最小的芯片级MOSFET
产品特性：
- 器件最大尺寸仅为1mm x 1mm
- 导通电阻比非芯片级器件提高10倍
- 负载开关、电池开关和充电开关应用
在种类繁多的便携式设备中，20V的P沟道Si8461DB和Si8465DB可用于负载开关、电池开关和充电开关应用。器件的小尺寸和薄厚度有助于减少电源管理电路所占用的空间，以及/或是实现更多的功能。与市场上尺寸与之最接近的芯片级功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的MICRO FOOT的占位小9%。
在4.5V栅极驱动下，Si8461DB的导通电阻为0.1Ω，比非芯片级器件提高了10倍，而且具有相近的占位尺寸，为节约便携设备中的电池能量提供了极大帮助。除4.5V的电压等级，Si8461DB还确定了在2.5V、1.8V和1.5V电压时的最大导通电阻，导通电阻与采用便携式系统中常见的更小输入信号的设备相匹配。对于充电开关等需要更高输入电压的应用，Si8465DB具有12V的栅源电压，在4.5V和2.5V栅极驱动时的导通电阻分别为0.104Ω和0.148Ω。
