CISSOID,推出了新系列高温小信号晶体管
产品特性：
输入电容仅为 32pF- 在225度其栅极洩漏限于 5.6μA
- 在225度这种逻辑级 MOSFET 可到 230mA
- 高温度传感器接口
高温半导体方案的领导者CISSOID 推出了新产品的行星家族高温晶体管和开关。汞是一种高温80V 的小信号N 沟道 MOSFET 晶体管，其保证的工作温度范围为摄氏负55 度至225 度。凭藉其极端温度的鲁棒性，其输入电容仅为 32pF，在225度其栅极洩漏限于5.6μA，这80V 的晶体管非常适合用于高温度传感器接口，如压电式传感器或执行一个保护放大器。
在225度这种逻辑级 MOSFET 可到230mA，也可用于切换中或高电阻，例如：转换3.3V/5V的逻辑信号至高压开汲极输出而开启/关闭时间低于5ns。最后，源极绑在闸极，在高温度范围下水银可被用作高可靠性的80V 小电流二极管。
汞，引用为 CHT-SNMOS80，在TO-39 金属封装的评估用之样品现在已可提供。数量在200 粒以上，起步价为欧元129一个。
关键字：CISSOID 晶体管 TO-39 CHT-SNMOS80 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80004387
