英飞凌第三代高速600V和1200V IGBT打破开关和效率界限
产品特性：
- 可满足开关频率高达100kHz的应用需求
- 具备极低的开关损耗，较低的导通损耗
- 其600V器件的电流范围为20A至50A
- 其1200V器件的电流范围为15A至40A
- 电焊机、太阳能逆变器、开关电源和不间断电源等高频应用
英飞凌近日推出600V和1200V高速3（第三代）IGBT产品系列。该系列经过优化，适用于高频和硬开关应用，在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面，树立了行业新标杆，并可满足开关频率高达100kHz的应用需求。
近年来，各种产品对分立式IGBT的需求促使设计者寻求具备优化特性的IGBT，比如开关和通态损耗优化，以期充分发挥产品的性能。英飞凌的全新600V和1200V高速3系列IGBT可适用于电焊机、太阳能逆变器、开关电源和不间断电源（SMPS和UPS）等高频应用，帮助最大限度发挥系统的性能。
英飞凌公司IGBT功率分立式器件高级营销经理Roland Stele指出：“最近几年，工业驱动、感应加热、电焊机、UPS和太阳能逆变器等应用对IGBT的需求大幅提高。所有这些产品都需要具有特定优化特性的功率开关。英飞凌提供的新一代突破性IGBT针对高频应用进行优化，具备最低的开关损耗并提高了系统效率。”
全新的高速3 IGBT系列经过优化，适用于开关频率高达100kHz的产品。它相对于上一代器件，总关断损耗降低35％。关断损耗的大幅降低主要源自于极短的拖尾电流时间。拖尾电流时间缩短75%，并表现出类似MOSFET的关断开关行为。
由于Vce(sat)（通态饱和电压）对总体损耗也很关键，因此需要在开关损耗和导通损耗之间实现最佳平衡。全新的高速3系列不仅具备极低的开关损耗，而且具备较低的导通损耗，这主要得益于采用本身具备较低通态饱和电压的、成熟的Trenchstop技术。
对于高速3系列中具备续流二极管的IGBT而言，其二极管的尺寸经过优化，适用于高速开关，同时可维持较高的软度，使产品具备出色的抗电磁干扰性能。
符合RoHS标准的全新高速3IGBT系列，其600V器件的电流范围为20A至50A，其1200V器件的电流范围为15A至40A。该系列目前全面投入量产。
样品数量的价格范围为1.90欧元（600V 20A）至5.10欧元（1200 40A）。
