IR上市导通电阻仅0.95mΩ的25V耐压功率MOSFET
产品特性：
- 导通电阻为标准0.95mΩ
- “业界最高”FOM
- 栅极电荷量为标准50nC
- 最大漏电流为37A
- 采用同步整流方式的降压型DC-DC转换器电路的同步整流端开关
美国国际整流器公司（International Rectifier，IR）上市了导通电阻仅为标准0.95mΩ（栅源间电压为＋10V时）的25V耐压n通道功率MOSFET“IRF6798MPBF”。这是一款采用该公司自主开发的封装技术“Direct FET”的功率MOSFET。外形尺寸为6.35mm×5.05mm×0.676mm。适用于采用同步整流方式的降压型DC-DC转换器电路的同步整流端开关。
据称，该功率MOSFET的导通电阻与全部栅极电荷量的乘积FOM（figure of merit，优值）为“业界最高”。全部栅极电荷量为标准50nC。最大栅源间电压为±20V，最大漏电流为37A。批量购买1万个时的单价为1.50美元。
此外，该公司还同时上市了导通电阻为标准3.0mΩ（栅源间电压为10V时）、全部栅极电荷量为标准13nC的n通道功率MOSFET “IRF6706S2PBF”。适用于采用同步整流方式的降压型DC-DC转换器电路的控制端开关。最大栅源间电压为±20V，最大漏电流为17A。外形尺寸为4.85mm×3.95mm×0.74mm。批量购买1万个时的单价为0.60美元。 关键字：IR 导通电阻 耐压 功率MOSFET 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80005942
