飞思卡尔面向TD-SCDMA,推出两款LDMOS射频功率晶体管
产品特性：
- RF8P20160HSR3，37W的平均射频输出功率
- RF8P20160HSR3，45.8 % 的能量转换效率
- MRF8P20100HSR3，20W的平均射频输出功率
- MRF8P20100HSR3，44.3 % 的能量转换效率
- 提供对宽带的固有支持
- 用于支持TD-SCDMA的运行
飞思卡尔半导体公司今天推出两款LDMOS射频功率晶体管。在中国，时分同步码分多址存取（TD-SCDMA）无线网络被广泛应用，而这些射频功率晶体管已经专为服务于上述网络的基站中所使用的功率放大器进行了优化。 这些先进的器件是专为TD-SCDMA 设计的飞思卡尔LDMOS 功率晶体管系列中的最新产品，而TD-SCDMA在业界被广泛部署。
TD-SCDMA是在中国开发的第三代无线标准，由中国最大的无线通信运营商使用。根据 TD-SCDMA 论坛，将近770万用户（约为全国 3G用户的43%）通过TD-SCDMA网络接受服务。
MRF8P20160HSR3晶体管和MRF8P20100HSR3器件均采用飞思卡尔最新的高压第八代（HV8）LDMOS技术，它提供的性能水平位居业界最高行列。 两个器件都提供对宽带的固有支持，所以能够在专为TD-SCDMA的运行而分配的两个频带(1880-1920 MHz 及 2010-2025 MHz）上提供它们的额定性能，这让一个单独的器件能够为两个频带提供服务。
TD-SCDMA基站中的放大器均采用Doherty 架构，该架构包含两个放大器，它们共同提供所有的运行条件。这通常要求在载波以及功率放大器的末级功峰值路径中配置单独的RF功率晶体管。然而，飞思卡尔的LDMOS 晶体管均采用“双路径”设计，其中，Doherty末级放大器的实施所要求的两个放大器被集成在一个单独的封装内。这将把所需设备的数量减少一半。这些优势，加上高增益、高效率及低功耗，能够降低TD-SCDMA放大器的生产成本、减少所需的组件并降低放大器的复杂度。
两款器件的工作电压均为26-32V，能在32V直流电源下处理的电压驻波比为10:1，它们在设计上是为了与数字预失真误差校正电路一起使用。它们在内部构造上互相匹配，采用气腔陶瓷封装，也可提供胶带和卷轴式封装。这些器件还包含保护措施，防止在装配线上遇到静电释放影响。静电释放保护也使门电压在-6V和+10V 之间宽幅波动，从而提高了高效模式（如C级模式）下运行的性能。
这些先进的器件已成为飞思卡尔现有的LDMOS射频功率放大器阵营中的成员，用于支持TD-SCDMA的运行，其中包括MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多级集成功率放大器集成电路，每个器件均可在两个TD-SCDMA频带上交付10W的平均功率。
