Spansion推出40nm级浮栅工艺的3.0V单层单元NAND闪存样品

• 存储容量在1Gb-8Gb
• 工作温度范围在-40℃至85℃
• 48引脚TSOP封装
• 标准NAND信号接口和指令集
• 10年使用寿命

• 车载信息娱乐
• 机顶盒/电视
• 无线通信基站

Spansion近日宣布，开始提供采用40nm级浮栅工艺的3.0V单层单元(SLC) 1Gb、2Gb和4Gb NAND闪存系列样品，相应的1.8V系列样品将于2012年底出货。与多层单元（MLC）的通用存储SSD相比，SLC适于车载信息娱乐、机顶盒/电视等及无线通信基站的嵌入式数据存储。

SLC NAND的主要特点为：存储容量在1Gb-8Gb；25μs随机存取，25ns顺序存取，200μs编程速度，10万次写入周期；1位错误校正码(ECC)；工作温度范围在-40℃至85℃；10年使用寿命。 

其他特点还有：48引脚TSOP封装；标准NAND信号接口和指令集；FFS闪存文件系统软件。 

Spansion市场总监曾子干解释称：“无线通信基站经过1年左右就将对1.8 V的SLC NAND闪存有市场需求，而汽车电子由于严的苛可靠性要求，1-3年后才会有此类需求。从容量看，1Gb是目前汽车电子市场的主流需求。”

他还透露了2017年前的SLC NAND产品规划，出于降低成本考虑，现在采用40nm级浮栅工艺的1Gb-8Gb SLC NAND，将在2012年底发展至30nm级工艺，并在2014年进一步升级至20nm级。