EPC2010:宜普推出第二代200V增强型氮化镓功率晶体管
EPC2010 FET新品特性：
- 最大RDS(ON)值为25mΩ
- 栅极施加电压是5V
- 高速DC/DC电源
- 负载点转换器
- D类音频放大器
- 硬件开关和高频电路
宜普电源转换公司宣布推出了第二代eGaN场效应晶体管(FET)系列产品中的最新成员EPC2010，具更卓越性能，不仅环保、不含铅，而且符合RoHS(有害物质限制)指令。
EPC2010 FET是一款200VDS器件，最大RDS(ON)值为25mΩ，栅极施加电压是5V。这种eGaN FET与第一代EPC1010 eGaN器件相比具有明显的性能优势。
EPC2010将脉冲电流额定值提高到60A(而EPC1010为40A)，并且改进了很低栅极电压时的RDS(ON)值，电容值也更低。
与具有相同导通电阻值的先进硅功率MOSFET相比，EPC2010体积更小，开关性能更高出许多倍。受益于更高性能eGaN FET的应用很多，其中包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬件开关和高频电路。
“宜普是第一家实现氮化镓功率场效应晶体管商用化的公司。随着第二代产品的推出，宜普进一步提升了氮化镓场效应晶体管的性能标杆。另外，宜普的新一代eGaN产品也是首个无铅化且符合RoHS的氮化镓场效应晶体管。” 宜普公司合夥创始人及首席执行官Alex Lidow表示。
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