STPS60SM200C：ST新推高压萧特基二极管
产品特性：
- 设计安全系数可承受过压
- 并拥有-40℃的最低工作温度
- 有助于提高电信基地台和熔接设备的效能和稳健性
- 在行动基地台与工业应用
近日消息，据外媒报道，意法半导体(STMicroelectronics，ST)推出新款200V功率的高压萧特基二极管STPS60SM200C，以额定直流输出30-50V的大电流AC/DC电源为目标应用，200V最大反向电压与目前最恶劣的工作(封装)环境兼容，设计安全系数可承受过压，并拥有-40℃的最低工作温度，有助于提高电信基地台和熔接设备的效能和稳健性。
STPS60SM200C 采用意法半导体独有制造技术，静电放电(ESD)保护能力超过2kV，按照IEC 61000-4-2标准测试，ESD 保护能力高于市场的同类萧特基二极管。这个保护功能可提高新产品在破坏性安全威胁中(如瞬态高压)的生存性，因而大幅降低设备的停机时间，最大幅度地减少设备的维修成本。
由于在边远地区安装行动通讯基地台既耗时且成本昂贵，因此，ESD保护性能最强的200V功率萧特基二极管具备各种优势，对于行动基地台与工业应用特别具有重要意义。
STPS60SM200C的主要特性：重复反向峰压(VRRM)为200V、2 x 30A的平均正向电流(IF(AV))、175℃最高工作结温(Tj (max))与640mV典型正向电压(VF)。
STPS60SM200C 在一个3针脚封装内整合两个互连二极管，更高的效能使其可替代通态损耗较高的超高速二极管。在目前的基地台设计中，传统超高速二极管的使用率依然达到大约30%，因此，意法半导体预计这新款的二极管将获得大规模应用，为目前使用萧特基二极管的高阶平台厂商提供新产品选项。
STPS60SM200C采用工业标准的TO-247封装，目前样品已上市。 关键字：二极管 半导体 MOSFET 亚阈区电流 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80013448
