R2J20653ANP：瑞萨推出笔记本电脑电压稳压器用功率MOS,FET
产品特性：
- 支持20V的输入电压
- 电力转换效率高达91％
- 可降低约70％的封装面积
- 笔记本电脑的MPU和内存等的电压稳压器
瑞萨科技针对笔记本电脑的MPU和内存等的电压稳压器，上市了符合“integrated Driver-MOSFET（DrMOS）”标准的功率MOS FET“R2J20653ANP”。新产品支持20V的输入电压，电力转换效率高达91％（输入电压为20V、输出电压为1.1V时）。
DrMOS是美国英特尔提倡的封装产品规格，将MPU等的电源所需的两种功率MOSFET以及驱动这两种功率MOSFET的驱动IC（1个）集成于一个封装内。此次的产品符合该规格，可将20V的输入电压转换为1.1V的MPU内核电源电压。
瑞萨此前也一直在开发和提供符合DrMOS标准的产品。不过，原来是面向服务器和台式电脑的、输入电压为12V的产品。此次是该公司首次上市可输入AC适配器20V电压的高耐压产品。该产品的输入电压为4.5～27V。输出电压为0.6V～5.0V。最大额定电流为35A。
与独立封装相比，将降低70％的底板面积
R2J20653ANP将高端（High Side）MOSFET、低端（Low Side）MOSFET以及驱动这两种MOSFET的驱动IC集成在了一个封装内。均为瑞萨制造。低端MOSFET内置有肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），降低了开关时的损耗。另外，将驱动IC面向两个MOSFET的开关控制进行了优化。由此，在输入电压为20V、输出电压为1.1V（频率为300kHz）的条件下，实现了91％的电力转换效率。
该产品采用了6mmx6mm的小型高散热式40引脚QFN封装。与由3个独立封装构成的情况相比，可降低约70％的封装面积（与该公司原产品相比）。而且最大工作频率高达2MHz，有助于外置部件的小型化。
另外，此次的封装在内部连接中采用了无线结构的铜板，大幅降低了封装内部的电阻。而且大电流路径采用占据封装背面大半部分的端子，因此便于处理电流与热量的问题。
此外，该产品作为符合DrMOS标准的产品，“业界首次”（瑞萨）在驱动IC中内置了过热警告功能（Thermal Warning）和过热停止功能（Thermal Shutdown）两个阶段的过热保护功能，提高了安全性和可靠性。样品价格（含税）为200日元。2009年12月7日开始量产。（记者：小岛 郁太郎）
关键字：瑞萨 笔记本 稳压器 DrMOS MOS FET 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80004540
