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IR,拓展,DirectFET?2,功率,MOSFET,系列适用于重负载应用


功率 MOSFET 的产品特性:
  • 具有非常出色的功率密度
  • 双面冷却功能
  • 最小寄生电感电阻
功率 MOSFET 的应用范围:
  • 适用于重负载应用

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布拓展了车用DirectFET®2功率MOSFET系列。该系列具有非常出色的功率密度、双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻,适用于重负载应用,包括电动助力转向系统、电源、混合动力汽车的电池开关、微型混合动力汽车的集成起动发电机系统等。

与传统的标准塑料封装器件相比,IR 的车用 DirectFET®2 器件可以实现整个系统级尺寸和更低的成本,以及超高的性能和效率。AUIRF7738L2 和 AUIRF7737L2 DirectFET®2 器件的电路板尺寸比 D2Pak 封装小 60%,具有非常低的导通电阻(RDS(on)),而AUIRF7736M2 的电路板尺寸与 5x6 mm PQFN 封装或者具有2.5mΩ 低导通电阻的 SO-8 封装相同,因而适用于需要更低成本和功率的应用。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“拓展后的 DirectFET®2 系列采用了 IR 先进的沟道硅工艺,以及坚固可靠的可扩展功率封装,为汽车系统设计师提供了经过验证的卓越功率密度、双面冷却和低寄生封装电感和电阻优势。”

AUIRF7737L2 和 AUIRF7738L2 与 IR 之前推出的 AUIRF7739L2 共用一个大罐电路板,使这些器件成为可扩展系统设计的理想元件。AUIRF7737L2 和 AUIRF7738L2 的封装电流额定值为 315A,所以 DirectFET® 封装没有限制硅电流能力。而且,这两种器件的最大封装电流额定值远远超过了传统的 DPak 和 D2Pak 封装。

新器件符合 AEC-Q101 标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的,所采用的环保材料既不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。 关键字:IR DirectFET?2 MOSFET 重负载应用  本文链接:http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80008250

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