罗姆开始量产SiC制SBD

• 高耐压化
• 大电流化

• 功率元件
  

罗姆的SiC功率元件终于踏上了量产之路。具体就是，输出电流为10A的SiC肖特基势垒二极管（SBD）“SCS110A系列”从4月下旬开始了量产供货。罗姆从2005年开始供货SiC制SBD的工程样品，但量产“尚为首次”（该公司）。

之前除了SBD及MOSFET等SiC功率元件之外，罗姆还开发出了采用这些元件的模块，并于2009年收购了从事制作元件时不可或缺的SiC底板业务的德国SiCrystal等，确立了一条龙生产SiC功率元件的体制。SCS110A系列将利用SiCrystal的底板。前工序由位于福冈县的ROHM APOLLO DEVICE，后工序由位于泰国的ROHM Integrated System(泰国)担任。

SCS110A系列的反向恢复时间（trr）为15ns。据称，比原来的硅制快恢复二极管（FRD）的35ns～50ns要短。这样，恢复时的损耗可减至原来的三分之一左右。10A电流时的顺方向电压为标准1.5V。耐压为600V。 

该公司还介绍说，量产时解决了“肖特基接触势垒”的均匀性，以及无需高温处理的高电阻保护套层形成等课题。

今后，除了实现SBD产品的高耐压化及大电流化之外，该公司还准备扩充配备MOSFET及SiC功率元件的IPM（智能功率模块）等SiC相关产品的阵容。