坚固耐用支持2.5GHz到2.7GHz的高能效功率晶体管
产品特性：
- 高效率
- 优异的耐用性
- 较低的输出电容，提高了 Doherty 应用中性能
- 记忆效应低，提供优良的预失真能力
- 内部匹配，易于使用
- 多载波应用，频率范围在 2.5GHz 到2.7GHz 之间
- 用于 W-CDMA 和 LTE 基站的射频功率放大器
NXP 半导体推出了一款新的 90W LDMOS 功率晶体管，BLG7G27LS-90P，应用于基站，工作频率从 2.5GHz到 2.7GHz。BLF7G27LS-90P 是推挽晶体管，采用 NXP 的第七代 LDMOS 技术，采用热增强型陶瓷封装。
在单载波W - C D M A 信号的A B类电路中， 平均输出功率2 5 W时，BLF7G27LS-90P 可提供 35％ 的效率和 18.5dB 增益。在这些条件下，如相邻通道功率给出的，线性度通常是-36dBc。要获得此性能，可以从 28V电源驱动设备，也可以用高达 32V 电源电压驱动。
BLF7G27LS-90P 是一个坚固的晶体管，它能够承受对应于 VSWR= 10:1 通过各个阶段的不匹配负载，在目前发现W-CDMA 和 LTE 系统许多故障的形势下，使其成为产品生存的安全选择。产品的设计和热增强型封装，在典型工作条件下测量， 会产生一个低至0.4K/W 的热阻。凭借这一特点，设备将可在低结合点温度下运行，确保在数年的产品周期中性能稳定可靠。BLF7G27LS-90P 在 SOT1121B 中，四线无耳陶瓷式封装。还提供一个有耳式版本，BLF7G27L-90P。
应用:
多载波应用，频率范围在 2.5GHz 到2.7GHz 之间
用于 W-CDMA 和 LTE 基站的射频功率放大器
特点：
高效率
优异的耐用性
较低的输出电容，提高了 Doherty 应用中性能
记忆效应低，提供优良的预失真能力
内部匹配，易于使用
