IRF6718：IR新款动态ORing和热插拔应用大罐式DirectFET封装 25V MOSFET
产品特性：- 极低的通态电阻：在10V Vgs时典型为0.5mΩ
- 比D2PAK的占位面积缩小60%，高度缩小85%
- 实现了改善的安全工作区（SOA）能力
- 电子保险丝及热插拔应用
- 高密度DC-DC应用
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on))，并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。
IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，提供极低的通态电阻（在10V Vgs时典型为0.5mΩ），同时比D2PAK的占位面积缩小60%，高度缩小85%。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导损耗，从而大大提高整体系统的效率。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“IRF6718是IR第一款采用大罐式DirectFET封装的器件，与同类器件相比拥有更低的通态电阻，可实现卓越的效率及热性能，适合于高密度DC-DC应用，如比D2PAK尺寸更小的服务器。另外，该器件还有助于节省电路板空间及整体系统的成本，因为在特定功率损耗下，它比现有解决方案使用更少的器件。”
此外，IRF6718为电子保险丝及热插拔电路实现了改善的安全工作区（SOA）能力。该器件采用无铅设计，并符合RoHS标准。
IRF6718是IR针对DC开关应用的25V DirectFET系列的衍生产品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也适合DC开关应用，并且在各自的PCB尺寸内提供业界最佳的通态电阻。
器件编号
典型RDS(on) @10V (mΩs)
典型RDS(on) @4.5V (mΩs)
VGS (V)
ID @ TA=25oC (A)
封装面积 (mm x mm)
典型RDS(on)
@10V x 面积
(mΩ x mm2)
IRF6718
0.5
1.0
+/-20
61
7 x 9.1
31.9
IRF6717
0.95
1.6
+/-20
38
4.9 x 6.3
29.3
IRF6713
2.2
3.5
+/-20
22
3.8 x 4.8
40.1
上述器件的数据及应用说明已在IR的网站www.irf.com提供。IR已开始接受量产订单。
