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SSM3K318T：Toshiba推出60V N沟道高压功率MOSFET

产品特性：

适合将电池电压提升到需要打开LED阵列的电压
低导通电阻值为83.5毫欧姆(典型值)
在VDS=30V的低电容为235pF
新器件采用紧凑型TSM封装，尺寸为2.9mmx2.8mmx0.7mm

适用范围：

目标应用LCD面板背景光，如汽车导航显示器和12吋上网本PC

东芝美国电子元器件公司推出用于白光发光二极管（LED）的60V功率MOSFET驱动器，目标应用LCD面板背景光，如汽车导航显示器和12吋上网本PC。这些应用通常需要24V~48V的高压以激活串联的8~16个白光LED。Toshiba SSM3K318T n 沟道功率MOSFET是小型尺寸，非常适合将电池电压提升到需要打开LED阵列的电压，具有更高效率的高速开关和低导通电阻(RDS(ON))。

SSM3K318T在VGS=10V的低导通电阻值为83.5毫欧姆(典型值)，和在VDS=30V的低电容为235pF。新器件采用紧凑型TSM封装，尺寸为2.9mmx2.8mmx0.7mm。

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SSM3K318T LED背景光 MOSFET 东芝

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