更小巧、更轻便、更低温——IR,GaN功率器件带动功率技术革命
产品特性：
- 无引线封装
- 超过93％的效率
- 系统效率改善3.5%到7%
- 系统尺寸缩小40％
- 括服务器、路由器、交换机，以及通用POL DC-DC转换器
GaNpowIR是IR基于氮化镓 (GaN)的革命性功率器件技术平台。与最先进的硅技术平台相比，能够改善客户主要特定应用的性能指数 (FOM) 高达10倍，可以显著提高性能并节省能源消耗，包括计算和通信、汽车和家电等的终端应用。
GaN技术平台开创行业先河，是IR研发部门基于IR专利的GaN-on-Si硅上氮化镓异质外延技术，经过5年精心研究的成果。高生产量的150mm硅上氮化镓外延以及相关的器件制造工艺，完全符合IR具备成本效益的硅制造设施，可为客户提供世界级的商业可行的氮化镓功率器件制造平台。
2010年3月5日，国际整流器公司（IR）在深圳会展中心举行新品发布媒体见面会。会上，IR公司环球市场及企业传信副总裁Graham Robertson先生为我们详细介绍了行业首批商用氮化镓集成功率级器件iP2010和iP2011的功能、特性及目标应用。电子元件技术网记者应邀出席了此次会议。
iP2010和iP2011系列器件为多相和负载点 (POL) 应用而设计，应用目标领域包括服务器、路由器、交换机，以及通用POL DC-DC转换器。 它是将PowerRtune驱动IC和氮化钾功率器件集成在一起，采用了无引线封装，可以满足最高效率和功率密度需求。
国际整流器公司环球市场及企业传传信副总裁Graham Robertson在新品发布会上指出，“与业内最好的功率器件相比，iP2010和iP2011系列器件在600KHz工作频率时有超过93％的效率！在1.2MHz工作频率时也有91％的效率！”
IR环球市场及企业传传信副总裁Graham Robertson先生
这个采用氮化钾材料的新器件可以将系统的效率改善3.5%到7%，采用简单的热控制即可达到节能效果，在目前绿色节能的大趋势下可以发挥重要作用。在改善功率器件的优值系数方面，这个氮化镓 (GaN) 功率器件也表现突出，如下图所示。
改善功率器件的优值系数，Si SiC GaN对比
据介绍，GaN器件可以将应用的优值系数提高10倍！而且可以将开关电源的频率从KHz提升到MHz级别，所以可以将电源系统的效率提升很多。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“iP2010和iP2011大幅度改善了功率密度，与分立方案相比，其系统尺寸缩小40％！，与业界最好的DrMOS器件相比，其系统方案电路板空间尺寸缩小35％以上，而且其所需的外围器件也相比这两个方案少很多，iP201x系列高达5MHz的开关能力有助于设计师显著减少输出电容和电感值及尺寸，有助实现空间紧张的设计。由此可以解降低应用成本。这些器件还能够使要求最高效率的应用设定在较低的开关频率下运行。”
采用分立器件，GaNpowIR技术，DrMOS方案功率密度比较
iP2010的输入电压范围为7V至13.2V，输出电压范围则为0.6V至5.5V，输出电流高达30A。这个器件最高运行频率为3MHz。在5MHz运行时，与iP2010引脚兼容的iP2011备有相同的输入和输出电压范围，但后者经过优化，从而使最高输出电流高达20A。通过以通用占位面积提供多种电流额定值器件，IR提供的灵活性能够满足不同客户对电流水平、性能和成本的要求。
这两种器件采用细小占位面积的LGA（无引线封装），为极低的功率损耗作出了优化，并提供高效率的双面冷却功能，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
iP2010产品规格
iP2011产品规格
关键字：轻便 低温 IR GaN 功率器件 革命 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80005534
