IR P沟道功率MOSFET适用于直流应用开关

产品特性：

• 改善了电流处理能力
• 提供广泛的导通电阻选择
• 可以简化电路设计
• 达到第一级潮湿敏感度标准

应用范围：

• 电池充电和放电开关
• 直流应用的系统/负载开关

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 m?至59 m?，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“相比上一代产品，这个新型SO-8 P 沟道 MOSFET系列显著改善了电流处理能力，更为客户提供广泛的导通电阻选择，以适应他们对温度和成本的要求。同时，P 沟道技术也可以简化电路设计。”

P 沟道 MOSFET器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 标准，所采用的材料不含铅，且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

新器件现已接受订单，数据和应用说明已刊登于IR的网站http://www.irf.com。