耐潮水平增加50倍的新款氮化钽薄膜片式电阻

品慧电子讯Vishay推出通过QPL MIL-PRF-55342测试的新款表面贴装片式电阻---E/H (Ta2N) QPL，保证可靠性达到100ppm的“M”级失效率。新的E/H (Ta2N) QPL电阻使用耐潮的氮化钽电阻膜技术制造，为国防和航天应用提供了增强的性能规格，包括0.1%的容差和25ppm/℃的TCR，耐潮水平超过MIL-PRF-55342限值的50倍。

Vishay推出通过QPL MIL-PRF-55342测试的新款表面贴装片式电阻---E/H (Ta2N) QPL，保证可靠性达到100ppm的“M”级失效率。新的E/H (Ta2N) QPL电阻使用耐潮的氮化钽电阻膜技术制造，为国防和航天应用提供了增强的性能规格，包括0.1%的容差和25ppm/℃的TCR。

E/H (Ta2N) QPL电阻适用于国防和航天应用的控制系统，这些应用需要考虑在潮湿条件下工作或长期的储存问题。器件的氮化钽电阻膜可确保耐潮水平超过MIL-PRF-55342限值的50倍。

E/H (Ta2N) Mil-PRF-55342薄膜电阻具有不到-25dB的极低噪声和0.5ppm/V的电压系数。电阻的卷绕式端接采用了一个粘性很强的粘合层，上面覆盖的电镀镍栅层可适应+150℃的工作条件，对典型电阻的影响小于0.010Ω。

新电阻采用01至12的M55342外形尺寸，功率等级为50mW～1000mW，工作电压为40V～200V，根据不同的容差，阻值范围为49.9Ω～3.3MΩ。

E/H (Ta2N) Mil-PRF-55342薄膜电容器现已量产，供货周期为八周到十周。