Toshiba推出低导通电阻快速开关30V MOSFET
产品特性
：- 采用TSON先进封装
- 额定电流范围为13A~26A
- RDS为4.3~12.2milliohms (mΩ)
- 输入电容从990~2200 picofarads (pF)
- 反向传输电容(Crss)从54~140pF
- 同步DC-DC转换器，如移动和台式电脑，服务器，游戏机和其它电子器件
- 移动和台式电脑，服务器，游戏机和其它电子器件
Toshiba美国电子元器件公司（TAEC）推出6器件采用TSON先进封装的30V MOSFET系列。这些新器件用于同步DC-DC转换器中，如移动和台式电脑，服务器，游戏机和其它电子器件中，移动和台式电脑，服务器，游戏机和其它电子器件。由Toshiba开发的器件采用第五和第六代UMOS V-H和UMOS VI-H工艺技术，通过低栅极电荷(QSW)实现低侧MOSFET的低导通电阻和高侧MOSFET的快速转换速度。薄型，紧凑型，3.3mmx3.3mmx0.9mm TSON先进封装相比于广泛采用5.0mmx6.0mm SOP-8封装，降低了64%的贴装面积要求，同时具有同等功耗1.9W。
新的产品系列包括5个N沟道MOSFET和1个MOSBD，MOSFET和肖特基二极管融合在一个单一芯片上，提供了低电感结构，从而提高功效。此产品系列提供了一系列特性使设计者符合各种系统要求。额定电流范围为13A~26A，RDS(ON) (典型值)为4.3~12.2milliohms (mΩ)，输入电容从990~2200 picofarads (pF) (典型值)，反向传输电容(Crss)从54~140pF(典型值)。
