Toshiba-components推出低导通电阻,快速转换的30V,MOSFET
产品特性：
5个N沟道MOSFET和1个MOSBD- 提供了低电感结构
- 额定电流范围为13A~26A
- 输入电容从999~2200微微法
- 反向传输电容为54~140pF
- 用于同步DC-DC转换器应用
东芝美国电子元器件公司(TAEC)提供采用TSON高级封装的6个器件30V MOSFET。这些新器件可用于同步DC-DC转换器应用，包括移动和台式电脑、服务器、游戏机和其它电子器件领域，它们需要用于子系统如：处理器、存储器和其它点负载器件的输入电压转换。(Toshiba)器件由东芝公司开发，采用15和16代UMOS V-H和UMOS VI-H处理技术，实现低侧MOSFET的低导通电阻和低栅极电荷(QSW)的高侧MOSFET的快速转换速度。薄型、紧凑型3.3mmx3.3mmx0.9mm TSON高级封装，与广泛采用5.0mmx6.0mm SOP-8封装相比,降低了64%的安装面积，同时达到了1.9W的同等功耗。
新产品包括5个N沟道MOSFET和1个MOSBD，MOSBD的单芯片组合了MOSFET和肖特基阻挡二极管，提供了低电感结构，因此提高了能源效率。该产品提供了一系列的特性，使设计人员能够满足不同的系统要求。额定电流范围为13A~26A，RDS(ON) (典型值)为4.3~12.2毫欧(mΩ)，输入电容从999~2200微微法（pF）（典型值），反向传输电容(Crss)为54~140pF(典型值)。
价格和供货情况：
现可提供Toshiba MOSFET系列的最新推出的产品样品，采用TSON封装，已开始大规模生产。样品数量价格起价为$0.35。
关键字：东芝 低导通电阻 快速转换 MOSFET 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80004651
