Si8499DB：Vishay推出P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
产品特性：- 采用芯片级MICRO FOOT®封装
- 采用第三代TrenchFET P沟道技术
- 将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半
- 符合IEC 61249-2-21的无卤素规范
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- 智能手机、PDA和MP3播放器等个人手持设备
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。
新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节距工艺，将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半：在4.5V、2.5V、2V和1.8V电压下的导通电阻分别为32 m?、46m?、65m?和120m?。
Si8499DB采用第三代TrenchFET P沟道技术，器件的芯片级封装具有最大的裸片与占位比，在非常紧凑的器件内提供了超低导通电阻。MICRO FOOT封装所需的PCB面积只有TSOP-6的1/6，而导通电阻则很相近，从而为其他产品功能腾出空间，或是使终端产品变得更小。
MOSFE的低导通电阻意味着负载、充电器和电池开关中更低的压降，使智能手机、PDA和MP3播放器等个人手持设备能够更快地充电，在两次充电之间的电池寿命更长。
MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规范，符合RoHS指令2002/95/EC。
Si8499DB TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。 关键字：Si8499DB Vishay P沟道 TrenchFET MOSFET 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80006082
