罗姆“全球首次”开始量产SiC制功率晶体管
产品特性：
- 耐压为600V
- 导通电阻为0.4Ω
- 解决可靠性、高温工艺引起的特性不均等问题
- 变频器和转换器
罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET（double-diffusion metal-oxide-semiconductor FET），并已开始量产。计划从2010年12月开始量产供货定制产品，2011年夏季供货通用产品。计划此后花1年左右的时间在耐压为600V～1200V、电流为5A～20A的范围内充实产品。
罗姆过去一直积极致力于SiC的元件开发。2010年4月已开始量产SiC制肖特基势垒二极管（SBD）。罗姆表示，此次通过开发自主的工艺技术和筛选法，解决了由SiC结晶缺陷带来的可靠性课题和由高温工艺引起的特性不均等量产SiC制晶体管所面临的所有问题，成功实现了量产。
目标是以在空调、太阳能电池及产业设备等产品中进行电力转换的变频器和转换器用途为首，实现广泛的应用。另外，生产基地方面，晶圆制造在德国SiCrystal AG进行，前工序在ROHM APOLLO DEVICE（福冈县）进行，后工序在泰国ROHM Integrated Systems (Thailand)进行。
此次已开始量产的产品，耐压为600V，导通电阻为0.4Ω，导通电阻降至相同耐压、相同芯片尺寸的Si制DMOSFET的1/10以下。另外，开关时间缩短到了低导通电阻的Si制IGBT的约1/5以下。罗姆指出，这样同时实现了Si制元件无法实现的高速度和低导通电阻。
将具有上述特性的SiC制功率晶体管应用于变频器和转换器等，除可以大幅减少损失外，由于随着高频化、周边部件能够实现小型化，因此还能减小封装面积和降低周边部件的成本。另外，罗姆指出与Si制晶体管相比，高温时电阻升高得非常少，因此还具有输出功率高时导通损失小的优点。与现在正销售的SiC-SBD组合构成电源回路，能够以更低的耗电量，为开发小型系统做出贡献。
在此次的量产中，罗姆通过开发自主的电场缓和构造和开发自主的筛选法确保了可靠性，并通过开发在SiC特有的高达1700℃的高温工艺下抑制特性劣化的技术等，得以“全球首次”（罗姆）确立SiC晶体管（DMOSFET）的量产体制。
罗姆将SiC元件业务定位于新一代半导体业务的核心技术之一，以强化DMOSFET和SBD的更高耐压、更大电流产品的产品阵容。另外，罗姆表示，将进一步扩充配备沟道构造MOSFET和SiC元件的IPM（intelligent power module）等SiC关联产品的产品阵容，并推进产品的量产。 关键字：罗姆 SiC 功率晶体管 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80009123
