MOSFET系列：IR推出坚固可靠的车用平面MOSFET系列

产品特性：

• 采用了 IR 经过验证的平面技术
• 针对低导通电阻 (Rds(on)) 进行了优化

应用范围：

• 用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列，适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。

新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术，包括 55V 和 150V 标准栅极驱动 N 沟道 MOSFET，以及适用于高侧开关应用的 -55 V 和 -100 V 标准栅极驱动 P 沟道 MOSFET ，这些技术不需要额外的栅极驱动电荷泵。有关的30V、55V 和 100V 逻辑电平栅极驱动 N 沟道 MOSFET 简化了栅极驱动要求，能够减少电路板空间和零件数量。所有这些新器件都针对低导通电阻 (Rds(on)) 进行了优化。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“通过使用 IR 经过验证的平面技术，这些新型车用器件平台在线性模式以及需要用坚固的MOSFET 来驱动高感性负载的应用中表现出色。此外，这些器件非常适合采用较高电路板净电压的汽车，如卡车等。”

新器件符合 AEC-Q101 标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

所有IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过 1,000 次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而，经过延长测试后，IR的新款 AU 材料在 5,000 次温度循环时的最大导通电阻变化只有 12%，体现了这款材料的高强度和耐用性。

器件编号 封装 栅极 驱动 V(BR)DSS (V) 10VGS时的最大导通电阻 (mΩ) TC 为 25°C时的ID最大值 (A) 10VGS 时的QG 典型值(nC) N 沟道器件 

 AUIRF3305 TO-220 标准 55 8.0 140 100 AUIRFR4105 DPak 标准 55 24.5 30 13 AUIRFZ34N TO-220 标准 55 40.0 26 23 AUIRF3415 TO-220 标准 150 42 43 133 

P沟道器件

AUIRF4905 TO-220 标准 -55 20.0 -74 120 

 AUIRFR5305 DPak 标准 -55 65.0 -28 42 

 AUIRF9Z34N TO-220 标准 -55 100 -17 23 

 AUIRFR5505 DPak 标准 -55 110 -18 21 

 AUIRFR9024N DPak 标准 -55 175 -11 13 

 AUIRF9540N TO-220 标准 -100 117 -23 65 

 AUIRFR5410 DPak 标准 -100 205 -13 39

器件编号 封装 栅极 驱动 V(BR)DSS (V) 4.5VGS时的最大 导通电阻(mΩ) TC 为 25°C时的ID 最大值 (A) 4.5VGS 时的QG 典型值(nC) 

 AUIRLR2703 DPak 逻辑 30 65.0 22 15 

 AUIRL3705N TO-220 逻辑 55 18.0 89 98 

 AUIRLR2905 DPak 逻辑 55 22.5 60 23 

 AUIRLR024N DPak 逻辑 55 110 17 15 

 AUIRLR120N DPak 逻辑 100 265 11 20