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NXP全新汽车级功率MOSFET采用Trench 6技术具出色可靠性


产品特性:

  • 具有极低导通电阻(RDSon)
  • 极高的开关性能以及出色的品质和可靠性
  • 已取得AEC-Q101认证
  • 具有极低PPM水平

适用范围:

  • 汽车电子


恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出全新汽车级功率MOSFET器件系列,该系列采用恩智浦的Trench 6技术,具有极低导通电阻(RDSon)、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。恩智浦新型汽车级MOSFET已取得AEC-Q101认证,成功通过了175℃高温下超过1,600小时的延长寿命测试(性能远超Q101标准要求),同时具有极低PPM水平。

恩智浦这一全新车用MOSFET系列中的首批产品将采用D2PAK封装,电压级分别为30V、40V、60V、80V和100V,全部具有出色的导通电阻(RDSon)性能。未来的Trench 6器件将会采用其他类型车用封装形式,包括恩智浦高可靠性、高性能的Power-SO8 LFPAK56封装,以此作为产品组合的重要扩展形式,为用户提供全面的应用灵活性。该系列几乎覆盖所有汽车应用领域,从简单的车灯照明到精密复杂的传动、车身及底盘等各系统的功率控制。

Trench 6将在前代TrenchMOS器件的基础上进一步提升开关性能,可在给定导通电阻(RDSon)条件下实现超低QGD,因此是汽车DC-DC开关应用的理想选择。恩智浦的汽车级功率MOSFET器件还为各类产品带来真正的逻辑电平变体,这是一项将基准导通电阻性能与阈值电压容限相结合的重要功能,可确保MOSFET器件在高温下的正常控制。

恩智浦半导体产品市场经理Ian Kennedy表示,“我们的Trench 6汽车级功率MOSFET器件可以为车内几乎每个MOSFET插口提供经过优化的、可靠性能极高的解决方案。广泛严格的测试表明,Trench 6的构架极其简单,且在近两年的标准MOSFET市场业绩骄人,一定可以满足延长汽车寿命所需的品质和可靠性要求。”

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