HiSIM-IGBT：广岛大学开发并公开了IGBT模型
产品特性：应用范围：
- 电路设计
广岛大学HiSIM研究中心的研究小组开发了IGBT（insulated gate bipolar transistor）电路设计和检测用模型“HiSIM-IGBT”，并于近日在该大学向新闻媒体作了发布。并披露，已经面向车载集成电路设计人员等公开了该模型。
发布会现场 右边是广岛大学的三浦道子（研究生院尖端物质科学研究科教授兼HiSIM研究中心中心负责人）
广岛大学从2005年开始就一直与丰田和丰田中央研究所共同研究普通车载用IGBT（insulated gate bipolar transistor）的模型。IGBT组合使用了双极晶体管和MOSFET，而联合研究小组则推导出可不分离这两个晶体管,而整体模拟IGBT的模型公式，从而开发出了HiSIM-IGBT。制成一体化模型是为了精确表达两个晶体管之间的相互作用。
IGBT和HiSIM-IGBT
HiSIM-IGBT以广岛大学和半导体理工学研究中心（STARC）联合开发的MOSFET模型“HiSIM（Hiroshima-university STARC IGFET Model）”为骨架，并统合了双极晶体管模型。据介绍，采用HiSIM-IGBT使设计高精度电路成为可能，有望大幅推进能源利用的高效率化。
HiSIM系列的标准化动向
模型的精度和稳定性评测已完成，已达到可公开的程度。据称，有为模型做嵌入式评测的EDA工具供应商已表示，即便是大电流电路和大电压电路，也可以稳定预测特性。广岛大学打算通过发布该模型，使更多的用户利用，以便进一步改进。
