恶劣工作环境中的开关和多路复用器设计考虑
品慧电子讯汽车应用中的恶劣工作环境对集成电路的技术要求极端苛刻，电路必须能够承受高电压和电流、极端温度和湿度、振动、辐射以及各种其他应力。本文描述了工程师在将模拟开关和多路复用器设计到恶劣环境下所用模块中时面临的挑战，并提供了一些一般解决方案建议，以供电路设计人员用来保护容易损坏的 器件。另外，文中介绍了一些新款集成开关和多路复用器，这些器件在过压保护、防闩锁特性和故障保护上均有所改善，能够处理常见应力状况。
汽车、军事和航空电子应用中的恶劣工作环境对集成电路的技术要求极端苛刻，电路必须能够承受高电压和电流、极端温度和湿度、振动、辐射以及各种其他应力。为了提供安全、娱乐、远程信息处理、控制和人机界面等应用领域所需的特性和功能，系统工程师迅速采用高性能电子器件。随着精密电子器件的使用日益增加，系统也变得越来越复杂，而且更易受到电子干扰，其中包括过压、闩锁状况和静电放电(ESD)事件。这些应用中采用的电子电路需要具有高可靠性和对系统故障的高耐受性，因此设计人员在选择器件时必须考虑到环境因素和器件自身限制。
此外，每个集成电路都有制造商规定的一些绝对最大额定值；设计时必须留意这些额定值，才能确保性能可靠且达到公布的技术规格。一旦超过这些绝对最大额定值，则无法保证工作参数；甚至可能导致内置ESD、过压或闩锁保护失效，从而导致器件（并有可能更进一步）损坏或出现故障。
本文描述了工程师在将模拟开关和多路复用器设计到恶劣环境下所用模块中时面临的挑战，并提供了一些一般解决方案建议，以供电路设计人员用来保护容易损坏的器件。另外，文中介绍了一些新款集成开关和多路复用器，这些器件在过压保护、防闩锁特性和故障保护上均有所改善，能够处理常见应力状况。
标准模拟开关架构
要完全弄清楚模拟开关上故障状况造成的影响，首先必须查看其内部结构和工作极限。
标准CMOS开关（图1）采用N和P沟道MOSFET作为开关元件、数字控制逻辑和驱动器电路。N和P沟道 MOSFET以并联方式相连，允许进行双向操作，并将模拟输入电压范围可以扩展到供电轨，同时在整个信号范围内使导通电阻保持相当恒定。
图1.标准模拟开关电路
信号源、漏极和逻辑控制端对正负源电压都设计有箝位二极管以提供ESD保护，如图1所示。在正常工作模式下，这些二极管反向偏置，因此除非信号超过电源电压，否则不会通过电流。这些二极管的尺寸因工艺而异，不过一般都采用小型设计，以尽量减少正常工作时的漏电流。
模拟开关的控制方式如下：当栅极-源极电压为正值时，N沟道器件导通，而当该电压为负值时则关断；P沟道器件由互补信号进行切换，因此与N沟道器件同时接通。开关的接通与断开是通过在两个栅极上分别施加正负源电压来实现的。
当栅极上的电压固定时，两个晶体管的有效驱动电压随着通过开关的模拟信号极性和幅度变化而呈比例变化。图2中的虚线表示，当输入信号接近电源电压时，总有一个器件的沟道开始饱和，从而造成该器件的导通电阻急剧增加。不过，并联器件在供电轨电压附近相互补偿，因此最终得到的是完全的轨到轨开关，并且导通电阻在信号范围内保持相对恒定。
图2.标准模拟开关RON图
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