安森美半导体推出新的高密度沟槽MOSFET
产品特性：
- 优异的导通阻抗
- 更高的开关性能
- 优化的低门电荷及低导通阻抗
- 无铅、无卤素，符合RoHS指令
- 计算机(PC)、服务器、游戏机、处理器稳压电源(VRM)
- 负载点(POL)应用中的同步直流-直流(DC-DC)转换器
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。
新系列的MOSFET利用安森美半导体获市场验证的沟槽技术，提供优异的导通阻抗[RDS(on)]及更高的开关性能，用于个人计算机(PC)、服务器、游戏机、处理器稳压电源(VRM)及负载点(POL)应用中的同步直流-直流(DC-DC)转换器。直接替代NTD48x、NTMFS48x及NTMS48x系列的DPAK、SO-8FL及SOIC-8封装方案，以及新的µ8FL 3.3 mm x 3.3 mm封装方案，就其封装尺寸而言，提供业界领先的低导通阻抗。
安森美半导体功率MOSFET产品副总裁兼总经理Paul Leonard说：“计算机和游戏机领域的电源管理设计工程师能够利用安森美半导体最新的30 V沟槽MOSFET方案提升总能效。我们利用电源管理及封装技术专长，为我们的客户提供多种方案，以应对提升能效及节省空间等设计挑战。”
安森美半导体的新MOSFET采用先进的封装系列，具有优化的低门电荷及低导通阻抗，提升开关性能及系统总能效。所有器件均为无铅、无卤素器件，且符合RoHS指令。
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