F-RAM会带来RFID标签的革命吗？

F-RAM存储器的产品特性：

• 对称性的读/写范围和读/写速率
• 无限次的读写耐用性与超低功耗
• 具有抗伽马辐射的特性

F-RAM存储器的应用范围：

• 电子收费系统

目前市场上的存储器种类非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND闪存、铁电存储器等。世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron的MaxArias™系列无线存储器将非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性等特性与行业标准无线存取功能相结合，使创新型的数据采集能力应用更广泛的领域。

MaxArias无线存储器是高价值资产跟踪、制造和维护历史数据记录收集，能够实现高容量和数据丰富的资产与信息追踪系统，用于智能电表、航天/工业制造、库存控制、维护历史追踪、药物和医疗设备跟踪、建筑安全，以及产品认证等应用。

Ramtron亚太区副总裁刘胜强先生指出，与EEPROM相比，F-RAM存储器具有对称性的读/写范围和读/写速率；更能达到无限次的读写耐用性与超低功耗，,其耐写性是EEPROM的一亿倍，写功耗是EEPROM的三千分之一；F-RAM存储器还具有抗伽马辐射的特性；极高的可靠性。这些独特卖点是其他任何非易失性存储器所无法企及的。

在应用中，F-RAM的等能量、等距离读写有何特别优势？举例说明，在电子道路收费中，传统的汽车RFID标签采用的是EEPROM，它的写入速度比较慢，写入距离也比较近，必须采用更高频率的信号以延长信号辐射距离，从而为读写数据赢得时间，而且对车速也有一定限制，这对于车辆密集的拥堵路段来说是难以接受的。如果汽车RFID标签采用F- RAM，很多设计变成被动式的，不需要电池，可以长距离对F-RAM做读写，当汽车自动收费站以标准的860M-960MHz数据采集频率，由于F-RAM将写入距离从5m延长到15m，同时具有非常快写入速率，从而可以大幅节省自动收费系统的部署成本和通关时间，此外，F-RAM写入电压只需1.6V，EEPROM的写入电压高达13V，所以采用EEPROM的存储器的应答器还需要额外的电池供电，而F-RAM不需要，因此可以节省许多功耗。因此，在整个电子道路收费系统上是一场新的革命，成本降低非常多，不单单是电池，包括之后的电池反修、更换等等……

在交谈过程中，刘胜强先生透露，Ramtron的铁电存储器是采用其自身专利的铅锆钛(PZT) 材料形成存储器结晶体，正是这种独特的结构，使铁电存储器在掉电后仍能够继续保存数据，写入速度快且具有无限次写入寿命，不容易写坏。虽然现在MaxArias的应用是初期阶段，但是有很多公司已进入实测阶段，预计在两年时间会形成一个成熟的市场。Ramtron未来的产品方向是大容量，届时还会将加密芯片加进去，同时也会把其他一些类似周边测体温、测水压也做进去。

最后，刘胜强先生表示，中国市场对于Ramtron是一个十分重要的市场，在RFID产业提供对称的读写距离、对称的读写速度、对称的读写能量独特的F-RAM技术，目前为止，没有任何一家半导体厂家可以提供这种技术。