Silicon,Genesis填补20um,无切损光伏箔空白
新闻事件:
- Silicon Genesis近日宣布已生产出首家20um厚度太阳能电池箔
行业影响
- SiGen的20um单晶硅光伏箔创晶片厚度新记录
- 20um太阳能电池箔结合了薄膜光伏电池多晶硅用量低和单晶硅光伏电池高效潜力的优点
- PolyMax 系统的无切损性质有助于节省原料,以及使用更薄的单晶硅晶片和箔发展新产品类型。
电子元件技术网提供文章精华概要,改善您的阅读效率
Silicon Genesis近日宣布,它已生产出首家20um厚度太阳能电池箔。研究发现,这种125毫米见方的单晶硅箔既耐用,又有很高的柔性。新形态既非薄膜,也非晶片,因而被命名为“箔”(foil),以更好地描述这种薄、柔软、独立的材料的独特物理特性。这一成就是SiGen公司PolyMax™无切损切片技术发展的重要里程碑。
在20um太阳能电池箔结合了薄膜光伏电池多晶硅用量低和单晶硅光伏电池高效潜力的优点。这都为大幅降低总生产成本创造了条件,从而可降低每瓦成本。预计该20um箔将把传统的硅光伏电池吸收材料技术延伸到未来。该单晶硅箔是最近展示的试验性地用流水线生产厚度150um和50um的原尺寸晶片连续开发的成果。这些试点能力正在用于开发大批量生产设备。
20um单晶硅箔的推出将使光伏电池制造商能够以具有成本效益的生产探索新的应用和形式。PolyMax 系统的无切损性质有助于节省原料,以及使用更薄的单晶硅晶片和箔发展新产品类型。
SiGen首席执行官Francois Henley说:“我们的20um晶体硅箔技术的高效潜力为太阳能光伏产业创造了新的机会。20um箔的柔性便于发展多种应用,如光伏建筑一体化(BIPV)和柔性光伏电池。这增强了我的信心,即薄膜技术的采用将受到超薄的PolyMax技术的成本和性能优势的限制。”
PolyMax系统概念和20um基片成果已在《光子》(PHOTON)杂志最近在德国慕尼黑举办的“第四届光伏技术展”上展出。
关键字:Silicon Genesis 光伏箔 无切损 单晶硅  本文链接:http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80001576