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FOD3120/50:飞兆最佳抗噪性能的栅极驱动光电耦合器


产品特性:飞兆栅极驱动光电耦合器FOD3120 和 FOD3150

  • 具备业界最高的共膜抑制性能
  • 抗噪声性能强
  • 可使用更小滤波器,功耗低、系统效率高
  • 峰值电压高达1414V,能够配合高压IGBT

应用范围:

  • 光伏逆变器
  • 电机驱动
  • 感应加热

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出两款栅极驱动光电耦合器FOD3120 和 FOD3150,为光伏逆变器、电机驱动和感应加热应用带来同级最佳共模抑制(common mode rejection, CMR)。这两种产品的输出电流分别为2.5A和1A,具有业界最高的CMR值,即使在最嘈杂的工业环境中,也能够轻易驱动1200V/20A IGBT和MOSFET,而这种抗噪声性能有助于防止可能导致击穿电流和 IGBT 损坏的误动作。此外,这些器件还具有严格的脉宽失真 (100ns),可使用更小的滤波器。由于更小的滤波器消耗的电能较少,因此能够改善功效,提高系统效率。这些栅极驱动光耦合器的峰值工作电压高达 1414V,能够配合高压IGBT。

飞兆半导体提供各种封装平台并集成各种不同的输入和输出配置组合,飞兆半导体提供用于低频宽带宽/通用开关应用的简单功能光耦合器;高频宽宽/高增益应用的高性能光耦合器; AC负载开关应用的高压光耦合器,以及提供独特工作特性的其它复杂功能产品。此外,飞兆半导体还提供红外组件,包括了红外发光二极管 (LED)、光电探测器、传送和反射光传感器,以及满足特定设计需求的定制产品。

FOD3120 和 FOD3150 采用了无铅端子,而它的潮湿敏感度也符合 IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。

关键字:光电耦合器 IGBT MOSFET  本文链接:http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80001125

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