Vishay Siliconix推出符合DrMOS规定的SiC762CD
产品特性：
- 对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET
- 完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管
- 工作频率超过1MHz，效率高达92%
应用范围：
- 输入电压为24V
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出集成的DrMOS解决方案 --- SiC762CD。在紧凑的PowerPAK® MLP 6x6的40脚封装内，该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®规定的服务器、PC、图形卡、工作站、游戏机和其他高功率CPU系统中电压调节器(VR)标准。该器件的工作频率超过1MHz，效率高达92%。
SiC762CD的输入电压为3V～27V，可以提供高达35A的连续输出电流。集成的功率MOSFET针对0.8V～2.0V的输出电压进行了优化，标称输入电压为24V。在5V输出时，SiC762CD还可以为ASIC应用提供非常高的功率。
SiC762CD先进的栅极驱动IC接收来自VR控制器的单个PWM输入，然后把输入信号转换成高边和低边MOSFET的栅极驱动信号。PWM输入与所有控制器兼容，而且特别支持带有三态PWM输出功能的控制器。
器件的驱动IC具有能自动检测轻负载条件的电路，可以自动开启跳频模式工作(SMOD)，使系统在轻负载条件下也能获得高效率。自适应的死区时间控制能够进一步提高效率。保护功能包括欠压锁定、击穿保护，热报警功能可在结温过高时向系统告警。
通过集成驱动IC和功率MOSFET，SiC762CD减少了功率损耗和与高频分立功率级相关的寄生阻抗效应。设计者可以采用高频开关以改善瞬态响应，节省输出滤波器的成本，在多相Vcore应用中实现尽可能高的效率密度。
器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。
SiC762CD现可提供样品，将于2010年第一季度量产，大宗订货的供货周期为十二周至十六周。
