Si7615DN：Vishay,新型第三代20V,P通道功率MOSFET

产品特性：

• 器件的占位面积为3.3mmx3.3mm
• 经过了100%的Rg测试，符合IEC61249-2-21的无卤素规定
• 导通电阻分别为3.9m?、5.5m?和9.8m?

应用范围：

• 电源适配器开关
• 笔记本电脑、上网本
• 工业/通用系统

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新型20VP通道TrenchFET功率MOSFET---Si7615DN，其导通电阻在采用PowerPAK 1212-8型封装的产品中是最低的。器件的占位面积为3.3mmx3.3mm，只有PowerPAKSO-8或SO-8型封装占位面积的1/3，可大大节省电路板空间。

新款Si7615DN提供了超低的导通电阻，在10V、4.5V和2.5V条件下的导通电阻分别为3.9m?、5.5m?和9.8m?。第三代TrenchFET功率MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗，使器件在执行开关任务时比市场上已有的P通道功率MOSFET消耗的能量更少。

Si7615DN采用了与Vishay最近发布的第三代TrenchFET20VP通道器件Si7137DP相同的PowerPAK SO-8封装。为满足各个应用的特殊需求，第三代P通道TrenchFET封装为设计工程师提供了多个选项，使工程师能够在具有最大漏极电流和散热功率的PowerPAKSO-8封装(分别比SO-8封装高60%和75%)，或是节省空间的PowerPAK1212-8封装之间进行选择。

直到最近，只有30V电压的P通道功率MOSFET才具有这样低的导通电阻范围，因此Si7615DN的出现使设计工程师不再依赖于现有的高压MOSFET。在竞争的30V器件中，采用PowerPAK1212-8封装的器件在10V和4.5V栅极驱动电压下的导通电阻分别为14.4mΩ和27mΩ。

Si7615DN可用做电源适配器开关，或用于笔记本电脑、上网本、工业/通用系统中的负载切换应用。适配器开关(在适配器、墙上电源或电池电源之间切换)是始终导通的，并吸取电流。Si7615DN更低的导通电阻使其功耗更低，可节省电能并延长电池寿命。

新款TrenchFET功率MOSFETSi7615DN经过了100%的Rg测试，符合IEC61249-2-21的无卤素规定。现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为10周至12周。