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Triquint推出针对700MHz,LTE基站低成本、高性能低噪放大器


导言:面向LTE基站和类似应用的集成、封装解决方案提供最低的噪声系数,TriQuint开始供应两款表面贴装式封装的低噪声放大器。这批器件采用新封装的砷化镓(GaAs)低噪声放大器在400至2700 MHz应用中提供一流性能。

技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司,开始供应两款表面贴装式封装的低噪声放大器(LNA)TQP3M9036和TQP3M9037的初始样品,为面向基站和类似应用的集成、封装解决方案提供最低的噪声系数。

Triquint推出针对700MHz LTE基站低成本、高性能低噪放大器

这些采用TriQuint砷化镓E-pHEMT工艺的新器件,包括工作频率为400至1500 MHz、噪声系数为0.45 dB的TQP3M9036和工作频率为1500至2700 MHz、噪声系数为0.40 dB的TQP3M9037。两款放大器均非常适用于基础设施应用,如蜂窝基站、塔顶放大器(TMA)、小蜂窝无线网络、中继器、700 MHz LTE网络以及使用UHF频谱中“空白信号频谱”(white space)的新兴无线系统。

下页内容:针对700MHz LTE基站低成本、高性能和低噪声的Triquint放大器 关键字:Triquint 噪声放大器 LTE  本文链接:http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80018002

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