美风险企业公开可利用硅量子点提高性能的图像传感器技术
产品特性：
- 外部量子效率可提高到90～95％
- 光检测能力可提高到1.5～2倍
- 在半导体上形成硅量子点薄膜
- 图像传感器
美国风险企业InVisage Technologies公开了采用硅量子点的图像传感器技术。据介绍，采用这种该公司称为“QuantumFilm”的技术，外部量子效率可提高到90～95％，与此前的CMOS图像传感器相比，光检测能力可提高到1.5～2倍左右。该公司总裁兼首席执行官Jess Lee表示，“我们认为，要促使基于半导体技术的图像传感器领域发展，较为理想的做法是以全新的思维重新开发”。Lee以前曾在美国知名图像传感器企业豪威科技（OmniVision Technologies）担任过副总裁。
作为采用QuantumFilm技术的首款产品，InVisage比较关注手机用图像传感器市场。预定2010年第四季度开始样品供货。2011年中期开始量产。
终端厂商可像迄今的图像传感器一样使用InVisage的图像传感器。目前尚未公开产品化初期时图像传感器的功能及价格等详情。关于价格，该公司的目标是实现“价格与市售的500～800万像素产品相同，而性能却远远高于原产品”（Lee）。
特点是在半导体上形成硅量子点薄膜
InVisage开发的QuantumFilm技术，需要在普通的CMOS层上形成0.5μm厚的膜。这种膜上嵌有2～5nm直径的硅量子点。这种薄膜可进行光检测，还可将转换为数字数据的信息转送至膜下面的半导体层。另外，此次未公开膜使用的材料。据介绍，硅量子点膜没有使用违反RoHS指令的物质。
Lee表示，普通的CMOS图像传感器，进行光检测的硅层外部量子效率约为50％。并且，光照射到硅层之前需要经过彩色滤光片和金属层，所以光量会减少50％左右。因此，“为了提高光检测能力，原来的CMOS图像传感器厂商会采用背面照射技术，或导入65nm工艺等最尖端制造技术。而我们的方法是对膜下层的硅半导体使用8英寸晶圆的110nm工艺”（Lee）。
据介绍，InVisage的图像传感器制造工艺，采用可追加到普通半导体生产线上的装置，并在CMOS层上形成硅量子点膜。该公司将图像传感器的生产委托给了台湾台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing）。
除了图像传感器领域以外，InVisage还称，正在考虑将其技术应用于太阳能电池及显示器领域。 关键字：硅量子点 图像 传感器 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80005685
