中芯国际推出0.11μm图像传感器制造技术
公司事件:
- 中芯国际开发出了生产0.11μm CMOS图像传感器的工艺技术
事件影响:
- 利用此次开发的工艺技术中芯国际中芯国际可以生产更高性能的CMOS传感器
中国的中芯国际(SMIC)开发出了生产0.11μm CMOS图像传感器的工艺技术。其0.11μm工艺技术的布线层所用金属材料既可使用铝(Al)也可使用铜(Cu)。该公司已开始了0.11μm工艺技术的试生产,可采用200mm或300mm晶圆生产。
SMIC表示:“利用此次开发的工艺技术可以生产比此前分辨率更高、噪音更低和高对比度的CMOS传感器”
关键字:CMOS图像传感器  本文链接:http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80000762