CISSOID推出高温度30V小讯号P-FET场效应管

P-FET场效应管的产品特性：

• 耐于极端温度
• 适合于-55℃至+225℃高温可靠运作
• P-FET 源电流在225℃可高达310mA

P-FET场效应管的应用范围：

• 高温度传感器介面
• 开/关中及高阻器件
• 压电传感器或保护放大器

CISSOID，在高温半导体方案的领导者推出了一个行星家族(高温度晶体管及开关)的新成员。火星是一个高温度30V小讯号P-FET场效应管, 适合于-55 ℃至+225℃高温可靠运作。 由于它耐于极端温度,只有14pF的输入电容值及于+225° C下最高只有400nA闸极漏电流。所以这30V晶体管非常适合于高温度传感器介面,例如压电传感器或保护放大器。

这逻辑电平 P-FET 源电流在225℃可高达310mA, 可用于开/关中及高阻器件,例如转换一个3.3/5V的逻辑讯号到一个高电压开源输出(其开关时间少于10ns)。 如果将闸电极连接到源电极,火星便能够变成一个可于高温下可靠操作的30V小讯号异极管。

火星再加上之前推出的水星(N-FET产品), 可以提供给电子工程师一个可靠及简单的分离模拟及数字电路,例如预稳压器，低压差稳压器，电平转换器，CMOS开关或在总线上的打开源/漏逻辑。