华虹NEC,0.162微米CIS工艺成功进入量产
技术特征：
- CIS162工艺是基于标准0.162微米纯逻辑工艺，1.8V的核心器件，3.3V的输入输出电路
- 集成了4个功能晶体管和光电二极管(photo diode) 的像素单元
- 特别处理的后端布线工艺可以在同样条件下得到更好的图像对比度和清晰度
- 完全兼容现有的CMOS工艺
- 各种电子产品,如手机摄像头、数码相机(DSC)、数码摄像机(DVC)、计算机(PC)、玩具（Toy）等
世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）日前宣布成功开发了0.162微米CMOS 图像传感器 (CIS162) 工艺技术，已进入量产阶段。
华虹NEC和关键客户合作共同开发的CIS162工艺是基于标准0.162微米纯逻辑工艺，1.8V的核心器件，3.3V的输入输出电路。经过精细调整集成了4个功能晶体管和光电二极管(photo diode) 的像素单元可以提供超低的漏电和高清优质的图像。而特别处理的后端布线工艺保证了像素区高敏感性，可以在同样条件下得到更好的图像对比度和清晰度。该工艺可广泛应用于各种电子产品,如手机摄像头、数码相机(DSC)、数码摄像机(DVC)、计算机(PC)、玩具（Toy）等。
华虹NEC的CIS162工艺完全兼容现有的CMOS工艺， 既具备CMOS工艺的稳定性，又能满足图象传感器的低噪声、高清晰要求。CIS162的成功开发加快了华虹NEC在消费电子类数字图像处理领域的开拓步伐。
关键字：华虹NEC CMOS CIS162 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80003442
