PTFB系列：英飞凌推出高功率LDMOS晶体管面向通信市场
PTFB系列的产品特性：
- 单管输出功率高达300W
- 支持高峰值对均值功率比
- 支持高数据传输速率规格
- 开放式共振腔陶瓷封装
- 无铅并符合ROHS规格
- 可供设计宽频无线网络基站
- 有助于设计Doherty放大器
- 应用在WCDMA信号设备
英飞凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一，其前身是西门子集团的半导体部门。在中国，英飞凌先进的半导体解决方案已广泛应用于各个领域，该公司凭借其雄厚的技术实力和全球领先的经验，与包括中兴、华为、方正、握奇等国内领先厂商展开深入合作，为中国电子行业的腾飞做出应有的贡献。
在LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)晶体管方面，英飞凌立足于最先进的LDMOS工艺技术和改善散热性能的封装，这家公司可制造门类齐全的RF功率晶体管和芯片产品，全面支持所有主要的无线通信和广播频段。先进的LDMOS工艺以及全自动RF组装和测试生产线，确保其产品具有业内领先的性能和质量。目前，包括爱立信、华为和中兴在内的不少知名的无线网络设备商都在大批采用英飞凌的LDMOS管。
PTFB系列LDMOS晶体管是英飞凌全新推出的可供设计宽频无线网络基站的高功率LDMOS晶体管系列产品，新型晶体管的单管输出功率高达300W，完全支持由3G发展为4G无线网络所需的高峰值对均值功率比(peak to average Power raTIo)以及高数据传输速率规格。PTFB系列系列产品所提供的高增益及高功率密度，主要应用在1.4-2.6GHz频带中。如此将可使用体积减少30%的器件，设计更小型且成本更低的功率放大器。高峰值功率非常有助于设计Doherty放大器，以及减少其它架构中的零件数量。
新型PTFB系列晶体管皆采用开放式共振腔(open-cavity)陶瓷封装，供螺栓式(bolt- down)或无耳式(earless)安装。这些产品皆无铅并符合ROHS规格，非常适合应用在WCDMA信号设备上，能够为设备提供出更高的增益和效率，还可大幅度提升最新MCPA(多载波功率放大器)和数字预失真系统的性能，可以满足高级通信业务的移动网络运营商的要求。该系列的产品现已投产。
英飞凌公司通过推出新一代LDMOS工艺，再次表明了其为移动网络提供尖端射频功率技术的坚定决心。新一代技术产品的推出，能够让无线网络系统开发商降低成本，提高系统性能，增强系统质量和可靠性。 关键字：PTFB LDMOS 晶体管 通信市场 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80008157
