Microsemi新款功率MOSFET将RF驱动器与RF功率MOSFET集于一体
产品特点：
- DRF1400在输出功率为1kW时效率优于92%
- 内部集成了RF驱动器，可以简化驱动级设计
- 采用具有高效散热性能的专有封装，能够提供高达1.4 kW的输出功率
- 工业、科学和医疗领域的RF发生器中
美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布扩展其RF功率产品线，推出了DRF1400功率MOSFET。该产品非常适合在广泛的工业、科学和医疗(ISM) 领域的RF发生器中使用，例如用于半导体、LCD和太阳能电池制造的等离子生成，以及工作频率高达30 MHz 的CO2激光器。
美高森美的DRF系列是将RF栅极驱动器、RF功率MOSFET和相关旁路电容器集中封装在一个高效热性能封装的产品。DRF1400是美高森美首款采用半桥拓扑结构的器件，在输出功率为1kW时效率优于92%，此外，较低的寄生电容和电感，以及施密特(Schmitt)触发器输入、开尔文(Kelvin)信号地线、防振铃功能、反相和同相(non-invert)引脚可选择等附属功能，为kW到数千瓦的高频ISM的应用提供了高稳定性和灵活的控制功能，高集成度还可缩减材料清单(bill-of-material)元件数目和降低成本。其它特点包括：
• 内部集成了RF驱动器，可以简化驱动级设计，允许输入简单的逻辑信号；
• 内部的旁路电容器，可以减少寄生电感并能保证电源电压的稳定；
• 采用高击穿电压(500V) MOSFET，通过半桥拓扑实现较高的功率输出；
• 采用具有高效散热性能的专有封装，能够提供高达1.4 kW的输出功率。
供货
美高森美现可提供DRF1400的工程样品。与之相关的参考设计套件(13.56 MHz, Class-D半桥)可从美高森美购买，套件包括了快速推出>1kW的RF功率设计所需的所有硬件，同时还为RF系统设计人员提供了包含有基础操作知识和设计考虑事项的设计指南。 关键字：功率MOSFET RF驱动器 RF功率MOSFET DRF1400 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80017428
