Si8422DB,：Vishay采用MICRO,FOOT封装的MOSFET
产品特性：
- 器件具有背面绝缘的特点
- 1.55mm ×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度
- VGS 1.8V时0.043? 至4.5V时0.037?的低导通电阻
- 最大栅源电压为 ±8 V
- 手机、PDA、数码相机
- MP3 播放器及智能电话等便携设备
Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化。该器件 2-mil背面涂层可实现对 MICRO FOOT 封装的顶部绝缘，以防与便携器件中移动部件暂时接触而产生的电路短路。
此绝缘设计令该器件可用于具有非常严格的高度要求的应用，从而设计人员可灵活放置 MOSFET，屏蔽、按钮或触摸屏等其他零部件可直接放置在 MOSFET 的上方，这在压低上述部件空间时将进一步压缩产品的高度。此设计灵活性还可减少寄生效应，由于无需路由至 PCB 上的区域及更少的高度限制，电路布局可更好地优化。
20V n 通道 Si8422DB 具有 1.55mm × 1.55mm 的超小尺寸及 0.64mm 的超薄厚度。该器件提供了1.8V VGS 时 0.043 ? 至 4.5V VGS 时 0.037? 的低导通电阻范围，且最大栅源电压为 ±8 V。
目前，新型 Si8422DB 可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。 关键字：MOSFET 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80001303
