Si8445DB:Vishay新型20V,P通道TrenchFET功率MOSFET
产品特性:
- 采用MICRO FOOT芯片级封装
- 1.2mm×1.0mm 的超小占位面积
- 1.2 V 时0.084 ?的低导通电阻范围
应用范围:
- 手机、PDA、
- 数码相机、MP3 播放器
- 智能电话
日前,Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET,该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有很小占位面积以及 1.2 V 时超低的导通电阻。
随着便携式电子设备的体积越来越小,以及它们功能的不断增加,电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对电池充电间隔间的电池运行时间的期望,设计人员需要具有低功耗的更小 MOSFET 封装 — 这恰恰是新型 Vishay Siliconix Si8445DB所具有的特点。
凭借 1.2mm×1.0mm 的超小占位面积,Si8445DB比业界大小仅次于它的器件小20%,同时具有 0.59mm 的相同超薄厚度。Si8445DB具有 1.2V VGS时 0.495?~4.5V VGS时 0.084 ?的低导通电阻范围。1.2 V 时的低导通电阻额定值降低了对电平位移电路的需求,从而节约了便携式电子设计中的空间及功率。
该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携式设备中的低阈值负载开关、充电器开关及电池管理。
目前,该新型 MICRO FOOT 芯片级功率 MOSFET 的样品与量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 10~12 周。
关键字:功率MOSFET  本文链接:http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80000229