松下电器试制出降低导通电阻的GaN二极管
产品特性:
- 导通电阻降低至52mΩcm2
- 采用了名为“Natural Super Junction”的新半导体连接技术
- 通过控制电极间隔便成功地提高耐压为9.4kV
- 良好的电气连接性能
应用范围:
- 消费类电器
- 电气设备等广泛领域
松下电器试制出使用GaN半导体、耐压为9.4kV,导通电阻降低至52mΩcm2的二极管。而此前产品的导通电阻为1000mΩcm2。设想用于工作电压从数百伏消费类电器和数kV产业电气设备等广泛领域。
新产品之所以同时实现了高耐压和低导通电阻,是因为采用了名为“Natural Super Junction”的新半导体连接技术。通过连接多个成分不同的GaN半导体,收到了与硅MOSFET上使用的“超级结构造”相同的效果。而以往GaN半导体的p型层和n型层的杂质浓度以及膜厚的控制需要较高的精度,因此难以使用超级结构造。
该二极管采用新结构,仅通过控制电极间隔便成功地提高了耐压。为降低导通电阻,增加了作为沟道的二维电子气体层数。并且利用凹陷结构使沟道暴露,在暴露的区域形成电极,使全部沟道层获得良好的电气连接性能。由此而实现了耐压9.4kV,导通电阻52mΩcm2。
关键字:二极管 分立器件  本文链接:http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80001114